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[分享] 大家对于暗硅现象的想法意见有哪些

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发表于 2019-6-10 19:02:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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首先,介绍一下什么是暗硅,就是指的cpu一个工作的时刻,同时工作的晶体管只占总的晶体管数目的5%
参见:https://www.jianshu.com/p/2f6aa8adac7a
https://new.qq.com/omn/20180720/20180720A0B8FG.html
http://www.sohu.com/a/166136517_136745
我想了解现在学术界,工业业对于缓解暗硅现象的方法,理论,设计有哪些?在座的各位又有什么独特的方法,设计的理论?
我还附加一个条件,暗硅现象得到了缓解,又要提升并行的效率同时也提升主频,还不能过多的加大编程的难度,有没有什么办法?
也是说,计算机既要并行,编程要简单,工作的晶体管数量比例要高,又不能局限一种任务,串行的频率还不能低,cpu效率要高,不要容易过热,能耗比要低
毋因群疑而阻独见  毋任己意而废人言
毋私小惠而伤大体  毋借公论以快私情
发表于 2019-6-11 21:38:37 | 显示全部楼层
缓解的方法可能是FPGA,通过增大体积加强散热
至于CPU……CPU也想开满功率变身核反应炉
奈何散热不允许啊
就现在,打开prime95,CPU温度直接+25且风扇满转速
这是5%
25/5%=?
这个等式可以留做习题了
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发表于 2019-6-12 11:39:55 | 显示全部楼层
.·.·. 发表于 2019-6-11 21:38
缓解的方法可能是FPGA,通过增大体积加强散热
至于CPU……CPU也想开满功率变身核反应炉
奈何散热不允许啊 ...

不是简单除法,功率增强,温度提高,温差变大,强化散热。
毋因群疑而阻独见  毋任己意而废人言
毋私小惠而伤大体  毋借公论以快私情
发表于 2019-6-12 16:11:37 | 显示全部楼层
zeroieme 发表于 2019-6-12 11:39
不是简单除法,功率增强,温度提高,温差变大,强化散热。

理想情况下的确是简单除法
工作晶体管*20->功率*20自然导致稳定之后散热量*20
然而问题是温度升高之后功率自然会提升(因为电阻(?))
然后……就是核反应炉版CPU了
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发表于 2019-6-14 12:53:19 | 显示全部楼层
温度升高之后功率自然会提升
其实这很不自然,一般材料都是正温度系数的,温度升高,电阻变大,在供电电压不变的情况下功率减小,发热减少,是负反馈,能够达到平衡。
CPU的发热主要来自MOS管的开和关的过程,这个过程中MOS工作在线性区,这是负温度系数的,导致正反馈,如不加以控制,容易热失控烧毁。
粗浅理解,这个问题要搞明白还是蛮复杂的。
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